[发明专利]AlGaInP基发光二极管外延片、芯片及制备方法有效
| 申请号： | 201610985270.1 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN106384771B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 邢振远;李彤;王世俊 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlGaInP基发光二极管外延片、芯片及制备方法，属于半导体技术领域。所述AlGaInP基发光二极管外延片包括GaAs衬底、以及依次层叠在所述GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型GaInP腐蚀停层、N+型GaAs欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层，所述AlGaInP基发光二极管外延片还包括层叠在所述N+型GaAs欧姆接触层和所述N型电流扩展层之间的N+型插入层，所述N+型插入层包括依次层叠在所述N+型GaAs欧姆接触层上的N+型GaInP层、N+型AlxGa1‑xInP层，0.3＜x＜0.6。本发明提高了反向抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | algainp 发光二极管 外延 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种AlGaInP基发光二极管外延片，所述AlGaInP基发光二极管外延片包括GaAs衬底、以及依次层叠在所述GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型GaInP腐蚀停层、N+型GaAs欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层，其特征在于，所述AlGaInP基发光二极管外延片还包括层叠在所述N+型GaAs欧姆接触层和所述N型电流扩展层之间的N+型插入层，所述N+型插入层包括依次层叠在所述N+型GaAs欧姆接触层上的N+型GaInP层、N+型AlxGa1‑xInP层，0.3＜x＜0.6。
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