[发明专利]无硅化物损伤的应力临近技术刻蚀方法在审
| 申请号： | 201610985909.6 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN106409662A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 雷通 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种无硅化物损伤的应力临近技术刻蚀方法，包括第一步骤在衬底中形成源极和漏极，并且在衬底上形成具有侧墙30的栅极，并且在栅极、源极和漏极的表面形成金属硅化物；第二步骤沉积保护层薄膜，侧墙侧壁上的保护层薄膜相比栅极、源极和漏极的表面上形成的金属硅化物上的保护层薄膜更薄；第三步骤进行应力临近技术刻蚀，其中刻蚀时间与保护层薄膜的厚度配合，使得侧墙侧壁上的保护层薄膜被完全去除，并且侧墙厚度减薄，而且栅极、源极和漏极的表面上形成的金属硅化物上的保护层薄膜被减薄以形成减薄的保护层薄膜；第四步骤沉积高应力薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 无硅化物 损伤 应力 临近 技术 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种无硅化物损伤的应力临近技术刻蚀方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底中形成源极和漏极，并且在衬底上形成具有侧墙30的栅极，并且在栅极、源极和漏极的表面形成金属硅化物；第二步骤：沉积保护层薄膜，侧墙侧壁上的保护层薄膜相比栅极、源极和漏极的表面上形成的金属硅化物上的保护层薄膜更薄；第三步骤：进行应力临近技术刻蚀，其中刻蚀时间与保护层薄膜的厚度配合，使得侧墙侧壁上的保护层薄膜被完全去除，并且侧墙厚度减薄，而且栅极、源极和漏极的表面上形成的金属硅化物上的保护层薄膜被减薄以形成减薄的保护层薄膜；第四步骤：沉积高应力薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
