[发明专利]一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件，包括Pt/Ti/SiO2/Si衬底、在所述Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜上依次形成的神经仿生层和Ag电极层；所述神经仿生层从下而上依次包括：第一Ga2O3膜层、第一Ag膜层、第二Ga2O3膜层、第二Ag膜层、第三Ga2O3膜层、第三Ag膜层、第四Ga2O3膜层。同时，本发明还公开了该神经仿生器件的制备方法。本发明所制备的器件能根据突触前刺激和突触后刺激的时间差而改变电阻，能够模仿生物突触的特性，其高低阻态发生缓慢变化且范围稳定；出现多个稳定阻态并具有良好的保持特性，在重复施加电脉冲刺激的情况下，电阻能保持高低阻转化较高的重复性，是一种性能更为稳定、应用前景更为广阔的神经仿生器件。

主权项

1.一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件，其特征在于，包括Pt/Ti/SiO2/Si衬底、在所述Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜上依次形成的神经仿生层和Ag电极层；所述神经仿生层从下而上依次包括：第一Ga2O3膜层、第一Ag膜层、第二Ga2O3膜层、第二Ag膜层、第三Ga2O3膜层、第三Ag膜层、第四Ga2O3膜层；所述第一Ga2O3膜层的膜厚为3‑7nm；所述第一Ag膜层的膜厚为1‑3nm；所述第二Ga2O3膜层的膜厚为3‑7nm；所述第二Ag膜层的膜厚为2‑4nm；所述第三Ga2O3膜层的膜厚为3‑7nm；所述第三Ag膜层的膜厚为3‑5nm；所述第四Ga2O3膜层的膜厚为3‑7nm。