[发明专利]调控金属氧化物薄膜晶体管反相器阈值电压的方法有效
| 申请号： | 201610986732.1 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN106504995B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陆晓青 | 申请（专利权）人： | 杭州潮盛科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/443;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 311500 浙江省杭州市桐庐县*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种调控金属氧化物薄膜晶体管反相器阈值电压的方法，包括以下步骤：在柔性衬底上沉积一层导电薄膜形成源区和漏区；在所述源区和所述漏区上沉积一层金属氧化物薄膜，并刻蚀形成有源层；在所述半导体有源层上沉积一层金属氧化物薄膜，并刻蚀形成绝缘层；在所述绝缘层上沉积形成栅极，在栅极沉积形成过程中分两次进行，第一次沉积厚度为20nm～200nm，第二次沉积厚度为200nm～1μm；在所述反相器栅极形成后进行O2退火，退火温度为200℃～600℃。本发明提供一种调控金属氧化物薄膜晶体管反相器阈值电压的方法，目的在于通过改变栅极厚度和金属氧化物半导体有源层面积的方式得到具有较大差异的阈值电压，从而实现对阈值电压的调控。 | ||
| 搜索关键词： | 调控 金属 氧化物 薄膜晶体管 反相器 阈值 电压 方法 | ||
【主权项】：
1.一种调控金属氧化物薄膜晶体管反相器阈值电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：在柔性衬底上沉积一层导电薄膜，形成组成反相器的两个金属氧化物薄膜晶体管的源区和漏区；在所述源区和所述漏区上沉积一层金属氧化物薄膜，并刻蚀形成两个金属氧化物薄膜晶体管的有源层；在所述有源层上沉积一层金属氧化物薄膜，并刻蚀形成两个金属氧化物薄膜晶体管的绝缘层；在所述绝缘层上沉积形成栅极，在栅极沉积形成过程中分两次进行，第一次沉积在两个金属氧化物薄膜晶体管上进行，厚度为20nm～200nm；第二次沉积仅在其中一个金属氧化物薄膜晶体管上进行，厚度为200nm～1μm；在栅极形成后进行O2退火，退火温度为200℃～600℃；栅极厚度是影响阈值电压的重要因素，在O2退火的过程中，通过以上对栅极厚度的调控，最终实现对阈值电压的调控。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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