[发明专利]存储器设备及方法有效
| 申请号： | 201610986874.8 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107025179B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 莫尼什·沙阿 | 申请（专利权）人： | 谷歌有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F13/16 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器设备及方法。一种存储器设备，包括多个NAND闪存芯片、与NAND闪存芯片数据通信的动态随机存取存储器(DRAM)部、和控制器。每个NAND闪存芯片具有第一存储容量，且包括存储器区段，每个存储器区段包括多个页。DRAM部具有第二存储容量，第二存储容量至少与第一存储容量一样大。控制器被配置为选择NAND闪存芯片中的一个NAND闪存芯片作为当前选择的NAND闪存芯片以用于写数据的，将在当前选择的NAND闪存芯片中的所有有效页复制到DRAM部中，且响应于对逻辑存储器位置的写请求，逻辑存储器位置映射到在NAND闪存芯片的一个中的特定物理位置，分配当前选择的NAND闪存芯片以用于写到包括特定物理位置的特定页。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器设备，包括：多个NAND闪存芯片，所述多个NAND闪存芯片中的每个NAND闪存芯片包括存储器区段，其中，每个存储器区段包括多个页，并且其中每个NAND闪存芯片具有第一存储容量；与所述NAND闪存芯片进行数据通信的动态随机存取存储器DRAM部，所述DRAM部具有第二存储容量，所述第二存储容量至少与所述多个NAND闪存芯片中的每个NAND闪存芯片的所述第一存储容量一样大；以及控制器，所述控制器被配置为：选择所述NAND闪存芯片中的一个NAND闪存芯片作为当前选择的NAND闪存芯片，以用于写数据；将在所述当前选择的NAND闪存芯片中的所有有效页复制到所述DRAM部中；以及响应于对逻辑存储器位置的写请求，分配所述当前选择的NAND闪存芯片以用于写到包括所述特定物理位置的特定页，所述逻辑存储器位置被映射到所述NAND闪存芯片的一个NAND闪存芯片中的特定物理位置。
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