[发明专利]一种1.55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201610986904.5 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN106654860A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王俊;成卓;胡海洋;马浩源;杨泽园;张然;马星;樊宜冰;黄永清;任晓敏 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所11121 | 代理人： | 官汉增 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种1.55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法，属于光通信用激光器材料和半导体光电子材料及其制造技术领域。所述材料包括在单晶InP衬底上依次制备得到的下DBR结构、激光器外延材料结构和上DBR结构，所述的下DBR结构包括多层介质图形结构及在其中生长的InP缓冲层和InP侧向外延层。本发明将纳米尺度侧向外延方法与传统Si/SiO2多层介质结构相结合，同时实现高反射率的下DBR结构与InP晶格匹配的虚拟衬底功能的方法；采用MOCVD方法解决了InP基长波长VCSEL外延材料的高反射率下DBR结构的材料制备问题，且省去了复杂的下DBR结构外延过程，减少VCSEL外延材料制备的成本，更适合于产业化的材料制备要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 1.55 微米 波长 垂直面 发射 激光器 材料 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种1.55微米波长垂直面发射激光器材料结构，其特征在于：由下到上依次为单晶InP衬底、底部反射腔镜结构、激光器外延材料结构和顶部反射腔镜结构，所述的激光器外延材料结构包括n型欧姆接触层、有源区和p型欧姆接触层；所述的底部反射腔镜结构包括多层介质图形结构，在所述的多层介质图形结构的生长窗口区生长有InP缓冲层，并侧向外延生长InP侧向外延层，作为激光器外延材料结构的下DBR结构；所述的顶部反射腔镜结构为多层介质结构，作为上DBR结构。
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