[发明专利]一种适用于黑硅硅片的减反射层结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201610986914.9 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN106356411A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 徐云洲;张伟 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫宇光伏科技有限公司;协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适用于黑硅硅片的减反射层结构，硅基板以及在所述硅基板上形成的减反射层，所述减反射层包括在所述硅基板形成的第一硅的氮化物材料层；在所述第一硅的氮化物材料层上形成的第二硅的氮化物材料层；在所述第二硅的氮化物材料层上形成的第三硅的氮化物材料层；在所述第三硅的氮化物材料层上形成的硅的氮氧化物材料层；以及在所述硅的氮氧化物材料层上形成的硅的氧化物材料层。上述适用于黑硅硅片的减反射层结构能够增强其减反射效果，解决了传统的黑硅硅片钝化效果差的技术问题，有利于抗电势诱导衰减，进而提高黑硅硅片的转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 硅片 反射层 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种适用于黑硅硅片的减反射层结构，其特征在于，在黑硅基板上形成的减反射层，所述减反射层包括：在所述硅基板形成的第一硅的氮化物材料层；在所述第一硅的氮化物材料层上形成的第二硅的氮化物材料层；在所述第二硅的氮化物材料层上形成的第三硅的氮化物材料层；在所述第三硅的氮化物材料层上形成的硅的氮氧化物材料层；以及在所述硅的氮氧化物材料层上形成的硅的氧化物材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
