[发明专利]一种薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种薄膜的制备方法，属于SOI片的制备技术领域。通过在提供的高阻硅片上生长一层电介质材料(氧化硅)，再在电介质材料层上生长一层非晶硅，转移一层氧化硅在非晶硅上，使氧化层上存在单晶硅，从而制备出具有非晶硅层的SOI片，上述过程在特定工艺条件完成，所制备的薄膜(即带有非晶硅层的SOI片)主要用于射频设备。

主权项

1.一种薄膜的制备方法，其特征在于：所述薄膜即带有非晶硅层的SOI片，其制备方法包括如下步骤：(1)提供高阻硅片，清洗后在其表面依次制备氧化硅层和非晶硅层，氧化硅层厚度为150-300A，非晶硅层的厚度为1-5μm；(2)提供低阻硅片，清洗后在其表面制备氧化硅层，氧化硅层厚度为2000-10000A；(3)将步骤(2)制备有氧化硅层的低阻硅片进行氢离子注入，使氢离子穿透氧化硅层注入到硅片，并达到所需深度，然后依次采用SPM、DHF、SC1、SC2进行清洗；(4)将步骤(1)处理后的高阻硅片和步骤(3)处理后的低阻硅片通过键合方式成为一个整体，然后进行200-450℃条件下的退火处理，退火后将键合后的整体依次采用SC1、SC2清洗；(5)将步骤(4)键合后的整体采用微波裂片设备进行裂片，裂片温度低于400℃，即获得带有非晶层的SOI片；(6)将裂片后获得的带有非晶层的SOI片进行清洗，然后在1000-1500℃条件下进行退火处理；(7)将步骤(6)退火处理后的带有非晶层的SOI片先采用DHF清洗，以去除高温退火带来的氧化层，然后再依次采用SC1、SC2，以去除化学液及表面污染物，最后进行CMP工艺，使其顶层硅达到所需求的厚度，即获得所需规格的带有非晶层的SOI片成品。