[发明专利]一种互补型薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种互补型薄膜晶体管及其制作方法，该互补型薄膜晶体管，包括衬底基板、第一栅极与第二栅极、栅极绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极与第二漏极、挡墙结构、N型半导体有源层、P型半导体有源层以及保护层；其中，挡墙结构设在第一源极、第二源极及第一漏极与第二漏极相连接位置上。本发明结构简单，制作工艺简易可行，大大降低了互补型薄膜晶体管的制作成本，挡墙结构可以避免在制作N型半导体有源层与P型半导体有源层时，相互污染对方。

主权项

一种互补型薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板，包括P型晶体管区与N型晶体管区；第一栅极与第二栅极，分别形成于所述衬底基板上的所述P型晶体管区与所述N型晶体管区；栅极绝缘层，形成于所述第一栅极与所述第二栅极上，并覆盖所述衬底基板；第一源极、第一漏极、第二源极与第二漏极，形成于所述栅极绝缘层上，所述第一源极与所述第一漏极和所述第一栅极对应，所述第二源极与所述第二漏极和所述第二栅极对应，所述第一源极与所述第一漏极在所述栅极绝缘层上形成第一沟道，所述第二源极与所述第二漏极在所述栅极绝缘层上形成第二沟道，且所述第一漏极与所述第二漏极相连接；挡墙结构，形成于所述第一源极、所述第二源极及所述第一漏极与所述第二漏极相连接位置上，且所述挡墙结构不与所述栅极绝缘层接触；N型半导体有源层，形成于所述第二沟道上，并覆盖所述第二沟道与所述挡墙结构之间的所述第二源极与所述第二漏极；P型半导体有源层，形成于所述第一沟道上，并覆盖所述第一沟道与所述挡墙结构之间的所述第一源极与所述第一漏极；保护层，形成于所述N型半导体有源层与所述P型半导体有源层上，并覆盖所述挡墙结构；其中，所述N型半导体有源层的制作材料为透明的金属氧化物半导体材料，所述P型半导体有源层的制作材料为有机半导体材料。