[发明专利]量子点发光器件的制作方法及量子点发光器件在审
| 申请号： | 201610987587.9 | 申请日： | 2016-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN106410058A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 周志超;夏慧 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种量子点发光器件的制作方法，其包括提供一基板，在基板上通过溅射沉积制作阳极；通过悬涂，雾化法或喷墨打印工艺，在阳极上制作空穴注入层；通过悬涂，喷墨打印或雾化工艺，将空穴传输层涂布到空穴注入层上；通过悬涂，喷墨打印或雾化工艺，将量子点发光层涂布到空穴传输层；通过溅射沉积或溶液法，将IZO电子传输层沉积到量子点发光层；以及通过热蒸镀工艺，在IZO电子传输层上制作阴极，以得到相应的量子点发光器件。本发明还提供一种量子点发光器件，本发明的量子点发光器件的制作方法及量子点发光器件使用铟掺杂比例为0.01％至20％的IZO材料作为电子传输层，提高了量子点发光器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 发光 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种量子点发光器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，在所述基板上通过溅射沉积制作阳极；通过悬涂，雾化法或喷墨打印工艺，在所述阳极上制作空穴注入层；通过悬涂，喷墨打印或雾化工艺，将空穴传输层涂布到所述空穴注入层上；通过悬涂，喷墨打印或雾化工艺，将量子点发光层涂布到所述空穴传输层；通过溅射沉积或溶液法，将IZO电子传输层沉积到所述量子点发光层；以及通过热蒸镀工艺，在所述IZO电子传输层上制作阴极，以得到相应的量子点发光器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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