[发明专利]一种高容量锂离子电池负极极片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610987738.0 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN106374081A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 袁万颂 | 申请（专利权）人： | 厦门日臻动力电源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高容量锂离子电池负极极片及其制备方法，包括负极集流体、涂覆在负极集流体表面的底涂层、活性物质层及其导电复合层，其特征在于所述底涂层通过气相沉积法将硅材料和碳材料通过相互交错方向在集流体表面沉积形成单元格，所述单元格内错位设置有所述硅材料和碳材料。本发明采用气相法在集流体表面沉积硅材料和碳材料，其致密度高、与集流体之间的粘附力大，过程可控，同时为硅材料的周围沉积碳材料，提高极片的导电率及其降低极片的膨胀率，从而提高锂离子电池的能量密度和循环性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 容量 锂离子电池 负极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高容量锂离子电池负极极片，包括负极集流体、涂覆在负极集流体表面的底涂层、活性物质层及其导电复合层，其特征在于：所述底涂层通过气相沉积法将硅材料和碳材料通过相互交错方向在集流体表面沉积形成单元格，所述单元格内错位设置有所述硅材料和碳材料。
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