[发明专利]双极性半导体光电子器件的逻辑应用方法

摘要

本发明公开了一种基于双极性半导体的光电子器件的逻辑应用和结构设计方法。该器件主要基于纳米半导体材料的物理特性，通过场效应晶体管的结构设计，实现栅极电压对源漏沟道光电转换性能的逻辑调控，从而具有逻辑光电子的性能。该器件主要结构和功能如下：(1)具有场效应晶体管的类似结构；(2)组成沟道层的材料为双极性半导体材料，该种半导体的载流子类型(p型或n型)可以通过栅极调控；(3)栅极为半栅极结构，即栅极只覆盖部分沟道层；(4)通过这种设计，可以通过半栅极调控双极性半导体形成pn结与非pn结。通过利用不同结的光电转换性能，实现半栅极电压对沟道层不同光电转换性能状态之间的调控，使光电子器件具有逻辑功能。

主权项

1.一种光电子器件的逻辑应用方法，其特征在于，设计的结构依次为，包括源极；包括漏极；包括沟道层，为双极性半导体材料；包括电介质层；包括栅极，为半栅极结构，即栅极不覆盖整个沟道层，由一个半栅极或延伸为多个半栅极组成；通过在所述半栅极输入不同的电压，获得所述沟道层在pn结与非pn结两者之间的转变，使得所述沟道层在一种光电转换状态与另外一种光电转换状态之间跳变，从而实现栅极电压对沟道层的光电子性能逻辑调控。