[发明专利]钝化量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 201610988388.X | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN106566529A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 程陆玲;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钝化量子点，包括量子点和包裹在所述量子点表面的钝化层，且所述钝化层为卤素离子与所述量子点表面的阳离子经化学反应形成的无机化合物薄膜层。所述钝化量子点的制备方法，包括以下步骤提供阳离子前驱体、阴离子前驱体，制备量子点；制备卤素气体，将所述卤素气体溶解在真空或惰性气体保护的有机溶剂中，制备卤素储备液；将所述量子点溶解形成量子点溶液，在所述量子点溶液中加入所述卤素储备液形成反应体系，搅拌反应，纯化处理后得到钝化量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钝化量子点，其特征在于，包括量子点和包裹在所述量子点表面的钝化层，且所述钝化层为卤素离子与所述量子点表面的阳离子经化学反应形成的无机化合物薄膜层。
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