[发明专利]一种图案化石墨烯电极的制备方法在审
| 申请号： | 201610989404.7 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN106409667A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张达明 | 申请（专利权）人： | 无锡市明盛强力风机有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/027 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市惠山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图案化石墨烯电极的制备方法。本发明制备得到的图案化石墨烯电极，其电学性能优于普通的金属电极，为有机薄膜晶体管的研究和应用提供了新的电极材料。同时，本发明制备得到的图案化石墨烯电极，作为柔性电极具备高透明度和良好的导电性能，用途广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图案 化石 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种图案化石墨烯电极的制备方法，包括：(1)用化学气相沉积法在铜箔上沉积石墨烯；(2)在所述沉积有石墨烯的铜箔上旋涂2‑5wt％的聚甲基丙烯酸甲酯的氯苯溶液；(3)待氯苯挥发后，将所述旋涂后的铜箔浸泡入过硫酸铵溶液中，蚀刻掉铜箔，得到石墨烯膜附着的聚甲基丙烯酸甲酯膜；(4)将所述石墨烯膜附着的聚甲基丙烯酸甲酯膜转移到附有100‑500nm厚SiO2的n型重掺杂硅片上，用丙酮清洗除去聚甲基丙烯酸甲酯膜，在硅片上得到石墨烯膜；(5)将所述石墨烯膜旋涂光刻胶，UV光刻技术图案化光刻胶，用氧离子反应蚀刻去掉没有光刻胶覆盖的石墨烯，接着用丙酮除去光刻胶，得到图案化的石墨烯电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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