[发明专利]一种准双口MRAM芯片及其读写方法有效
| 申请号： | 201610990918.4 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN108074604B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 31287 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 于晓菁<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种准双口MRAM芯片，包括多个阵列，准双口MRAM芯片同时收到读写第一地址的第一指令与读写第二地址的第二指令，第一地址与第二地址属于不同的阵列，或者第一地址与第二地址属于同一阵列的同一行，第一指令与第二指令同时操作。本发明还提供一种准双口MRAM芯片的读写方法。本发明提供的准双口MRAM芯片及其读写方法，能够在实际使用中大部分时间里都能在一个读写周期里同时进行两处读写，如果不能做到，则分两个周期进行读写。 | ||
| 搜索关键词： | 读写 双口 芯片 指令 读写周期 多个阵列 | ||
【主权项】：
1.一种准双口MRAM芯片，包括多个阵列，其特征在于，若所述准双口MRAM芯片同时收到读写第一地址的第一指令与读写第二地址的第二指令，所述第一地址与所述第二地址属于不同的阵列，或者所述第一地址与所述第二地址属于同一阵列的同一行，所述第一指令与所述第二指令同时操作；所述第一地址与所述第二地址属于同一阵列的不同行，所述第一指令与所述第二指令依次操作；若所述准双口MRAM芯片单独收到第一指令或第二指令，所述第一指令或所述第二指令单独操作。/n
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