[发明专利]一种半导体晶圆电镀用导电片及接电点密封结构

摘要

本发明公开了一种半导体晶圆电镀用导电片及接电点密封结构，所述导电片包括导电层、内侧覆盖膜及外侧覆盖膜，所述导电层为导电材料，所述内侧覆盖膜、外侧覆盖膜为绝缘材料并且分别设置在导电层的内、外侧，所述导电层上设有接电点并且接电点穿过外侧覆盖膜伸至外侧覆盖膜的外侧，接电点的高度大于外侧覆盖膜的厚度，所述半导体晶圆电镀用导电片上还设置有外部导电连接点。本发明提供的半导体晶圆电镀用导电片，其结构合理，有效提高了晶圆电镀的均匀性；且设计了巧妙的接电点密封结构，解决了接电点被腐蚀的问题，提高了晶圆的利用率。

主权项

1.一种半导体晶圆电镀用导电片，其特征在于，包括导电层（6e）、内侧覆盖膜（6b）及外侧覆盖膜（6f），所述导电层（6e）为导电材料，所述内侧覆盖膜（6b）、外侧覆盖膜（6f）为绝缘材料并且分别设置在导电层（6e）的内、外侧，所述导电层（6e）上设有接电点（6a）并且接电点（6a）穿过外侧覆盖膜（6f）伸至外侧覆盖膜（6f）的外侧，接电点（6a）的高度大于外侧覆盖膜（6f）的厚度，所述半导体晶圆电镀用导电片（6）上还设置有外部导电连接点（6c）；包括圆环形主体（6j）和与圆环形主体（6j）连为一体的连接条（6k），所述接电点（6a）均布在圆环形主体（6j）上，所述外部导电连接点（6c）设置在连接条（6k）上；所述外部导电连接点（6c）上连接有导线（6d）。