[发明专利]场效应晶体管及其制造方法,显示元件,显示装置,系统在审
| 申请号： | 201610991447.9 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN106972062A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 新江定宪;植田尚之;中村有希;平野由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一;草柳岭秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 王增强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应晶体管,显示元件，显示装置,系统,以及场效应晶体管的制造方法。本发明的课题在于,抑制对半导体层或基板产生损害，防止薄膜晶体管的特性及均一性降低。场效应晶体管包括栅电极；源电极和漏电极，用于根据向上述栅电极施加电压，取出电流；半导体层，与上述源电极和上述漏电极相接配置，在上述源电极和上述漏电极之间形成沟道；作为栅绝缘膜的第一绝缘层，位于上述半导体层和上述栅电极之间；以及第二绝缘层，覆盖上述半导体层表面的至少一部分；上述第二绝缘层包括含有硅和碱土类金属的金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 显示 元件 显示装置 系统 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其特征在于:上述场效应晶体管包括：栅电极；源电极和漏电极，用于根据向上述栅电极施加电压，取出电流；半导体层，与上述源电极和上述漏电极相接配置，在上述源电极和上述漏电极之间形成沟道；作为栅绝缘膜的第一绝缘层，位于上述半导体层和上述栅电极之间；以及第二绝缘层，覆盖上述半导体层表面的至少一部分；上述第二绝缘层包括含有硅和碱土类金属的氧化物。
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