[发明专利]一种硅片线痕检测装置及检测方法有效
申请号: | 201610993435.X | 申请日: | 2016-11-11 |
公开(公告)号: | CN106571314B | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 郭立;樊坤;尹昊;陈勇平 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 周长清;廖元宝 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅片线痕检测装置,包括用于传输硅片至检测工位的传输平台,检测工位的下方设置有旋转平台,旋转平台的上方设置有用于顶升位于检测工位上的待检测硅片的顶升组件,检测工位的上方和下方均设置有一组用于检测硅片线痕的线痕检测组件。本发明的硅片线痕检测装置具有检测精准全面可靠等优点。本发明还相应公开了一种检测方法,步骤为:S01、开始,传输平台将待检测硅片传输至检测工位;S02、顶升组件将待检测硅片顶升而脱离传输平台,然后旋转平台做旋转运动而带动顶升组件上的待检测硅片做旋转运动;同时,线痕检测组件对待检测硅片上的线痕进行检测。本发明的检测方法具有操作简便、检测全面、精准全面等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 检测 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硅片线痕检测装置,其特征在于,包括用于传输硅片(6)至检测工位的传输平台(1),所述检测工位的下方设置有旋转平台(2),所述旋转平台(2)的上方设置有用于顶升位于所述检测工位上的待检测硅片(6)的顶升组件(3),所述检测工位的上方和下方均设置有一组用于检测硅片(6)线痕的线痕检测组件(4);/n各组线痕检测组件(4)均包括两个线痕检测探头(41),两个线痕检测探头(41)分别位于所述待检测硅片(6)的左右两侧;/n每组线痕检测组件(4)中的两个线痕检测探头(41)相互垂直布置以使两检测方向相互垂直。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造