[发明专利]基于基片集成波导的高频率选择性平衡带通滤波器

摘要

本发明公开了一种基于基片集成波导的高频率选择性平衡带通滤波器，包括上层介质基片和下层介质基片，上层介质基片设置三个上金属层，下层介质基片设置三个下金属层，上、下层介质基片之间设置中间金属层；所述上层介质基片设置有两排金属化通孔，下层介质基片相应的位置设置两排金属化通孔；所述上金属层均为等腰直角三角形；两个差分馈电微带线设置于上层介质基片，且与中间的上金属层斜边相接；两个差分馈电微带线设置于下层介质基片，且与中间的下金属层斜边相接；所述中间金属层设置两个矩形的孔隙，以及两个扇形的孔隙。本发明具有很好的频率选择性和优异的差模带外抑制性能，同时大大缩减了体积，兼具低损耗、高功率容量的特点。

主权项

1.一种基于基片集成波导的高频率选择性平衡带通滤波器，其特征在于，该滤波器基于八分之一模基片集成波导，包括上层介质基片(1)和下层介质基片(2)，所述上层介质基片(1)的上表面设置第一～三上金属层(4、6、8)，下层介质基片(2)的下表面设置第一～三下金属层(5、7、9)，上、下层介质基片(1、2)之间设置中间金属层(3)；所述上层介质基片(1)设置有第一、二排金属化通孔(10、19)，下层介质基片(2)相应的位置设置第三、四排金属化通孔(20、21)；所述第一～三上金属层(4、6、8)均为等腰直角三角形，第一上金属层(4)、第三上金属层(8)的斜边与第二上金属层(6)的直角边相邻；第一～三下金属层(5、7、9)的尺寸及布局与第一～三上金属层(4、6、8)相同；第一～二差分馈电微带线(11、12)设置于上层介质基片(1)，且与第二上金属层(6)的斜边相接；第三～四差分馈电微带线(13、14)设置于下层介质基片(2)，且与第二下金属层(7)的斜边相接；所述中间金属层(3)设置两个矩形的第一～二孔隙(15、16)，以及两个扇形的第三～四孔隙(17、18)。