[发明专利]薄膜磁阻器件以及单片集成电路有效
申请号: | 201610995575.0 | 申请日: | 2016-11-11 |
公开(公告)号: | CN106684078B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | J·库比克;S·P·威斯顿;P·M·朵兰 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体集团 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 百慕大群岛(*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开用于集成电路的薄膜电阻设备,包括薄膜电阻设备的集成电路。如薄膜电阻传感器通常包括多个电阻元件。这些部件应当良好匹配,以便传感器提供准确的读数。当传感器结合在集成电路内时,电阻元件可以形成在形成其它部件的一部分的金属迹线上方或下方。结果,薄膜电阻部件经受不同水平的应力。本公开提供了一种被布置为减轻应力的影响的结构。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 磁阻 器件 以及 单片 集成电路 | ||
【主权项】:
一种用于集成电路中的薄膜电阻器件,所述薄膜电阻器件包括:薄膜电阻元件,形成在所述薄膜电阻器件的第一层中,以形成电路;和应力均衡结构,包括形成在所述薄膜电阻器件的第二层中的应力均衡元件,所述应力均衡元件被布置成使施加在所述薄膜电阻元件上的应力相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的