[发明专利]高低电平混合有效开关复位电路

摘要

本发明揭示了一种高低电平混合有效开关复位电路，包括总复位电路、至少一低电平子复位电路、至少一高电平子复位电路，各低电平子复位电路、各高电平子复位电路分别与总复位电路连接；各低电平子复位电路包括第一上拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管；各高电平子复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、第二开关、第二二极管；所述总复位电路包括第三上拉电阻、第三电容、总开关，第三电容与第三开关并联后一端接地，另一端作为复位信号端，并经第三上拉电阻接至电源端VCC。本发明高低电平混合开关复位电路，可实现一对多的复位操作，同时能延伸应用于其他一对多操作的场合的一种适用性较广的电路结构。

主权项

一种高低电平混合有效开关复位电路，其特征在于，所述复位电路包括：总复位电路、至少一低电平子复位电路、至少一高电平子复位电路，各低电平子复位电路、各高电平子复位电路分别与总复位电路连接；各低电平子复位电路用于对应低电平子系统复位，各高电平子复位电路用于对应高电平子系统复位；各低电平子复位电路包括第一上拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管，第一电容与第一开关并联后一端接地，另一端作为低电平子复位信号端，并经第一上拉电阻接至电源端VCC；各低电平子系统的低电平子复位信号端分别通过各自的第一二极管与总复位信号端连接在一起，且各第一二极管的PN结电流导通方向均流入总复位信号端；各高电平子复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、第二开关、第二二极管，第二电容与第二开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为高电平子复位信号端，并经第二下拉电阻接地；各高电平子系统的高电平子复位信号端分别通过各自的第二二极管与总复位信号端连接在一起，且各第二二极管的PN结电流导通方向均流出推挽电路输出端；所述总复位电路包括第三上拉电阻、第三电容、总开关，第三电容与第三开关并联后一端接地，另一端作为总复位信号端，并经第三上拉电阻接至电源端VCC；总复位信号端控制P沟道、N沟道构成的推挽电路的门极，各高电平子系统的高电平子复位信号端分别通过对应第二二极管与推挽电路输出端连接在一起，且各第二二极管的PN结电流导通方向均流出推挽电路输出端；各低电平子系统的低电平子复位信号端分别通过对应第一二极管与总复位信号端连接；所述推挽电路包括P沟道的第一MOS管Q1、N沟道的第二MOS管Q2，第一MOS管Q1的栅极、第二MOS管Q2的栅极连接总复位信号端，第一MOS管Q1的源极连接电源端VCC，第二MOS管Q2的源极接地，第一MOS管Q1的漏极、第二MOS管Q2的漏极连接各个第二二极管的正极；系统上电时，各个低电平子系统的低电平子复位电路中的第一电容两端电压从0突变，这时低电平子复位电路对第一电容充电，电流经第一电容流入地，低电平子复位信号端为低电平，完成对低电平子电路系统上电复位过程；当某低电平子系统中的第一开关闭合后，该低电平子系统记为第一低电平子系统，第一低电平子系统的低电平子复位信号端被短接至地，呈低电平，与此同时其他低电平子系统的低电平子复位信号端和总复位信号端因各第一上拉电阻常态为高电平，由于第一低电平子系统的第一二极管的单向导电性，此时第一低电平子系统的低电平子复位信号端的低电平因第一低电平子系统的第一二极管处于未导通状态，而不会受到其他低电平子复位信号端上以及总复位信号端上高电平的影响，保持低电平，从而对该第一低电平子系统复位，即实现各个低电平子系统的单独复位功能；当总开关闭合时，总复位信号端被短接至地，呈低电平，与此同时各低电平子系统的低电平子复位信号端因第一上拉电阻常态为高电平，因此在第一二极管两端产生电势差，致使第一二极管单向导通，电流从电源端VCC先后流经第一上拉电阻、第一二极管、总开关后流入地；各个第一二极管均被导通，各个低电平子复位信号端的电压均等于所接第一二极管的前向导通压降，成功复位各个低电平子系统；为保证可靠复位，各个第一二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降为0.3V,为低电平，成功复位各个低电平子系统；系统上电时，各个高电平子系统的高电平子复位电路中的第二电容两端电压从0突变，这时高电平子复位电路对第二电容充电，电流经第二电容、第二下拉电阻后流入地，高电平子复位信号端为高电平，完成对高电平子电路系统上电复位过程；当某高电平子系统中的第二开关闭合后，该高电平子系统记为第一高电平子系统，第一高电平子系统的高电平子复位信号端被短接至电源端VCC，呈高电平，与此同时其他高电平子系统的高电平子复位信号端和总复位信号端因第二下拉电阻常态为低电平，由于第一高电平子系统的第二二极管的单向导电性，此时第一高电平子系统的高电平子复位信号端的低电平因第一高电平子系统的第二二极管处于未导通状态，而不会受到其他高电平子复位信号端上以及总复位信号端上低电平的影响，保持高电平，从而对子第一高电平子系统复位，即实现各个高电平子系统的单独复位功能；当总开关闭合时，总复位信号端被短接至地，呈低电平，推挽电路P沟道第一MOS管导通，N沟道第一MOS管关断，推挽电路输出高电平；与此同时各高电平子系统的高电平子复位信号端因其第二下拉电阻常态为低电平，因此在各高电平子系统的第二二极管两端产生电势差，致使对应的第二二极管单向导通，电流从电源端VCC先后流经总开关、第二二极管、第二下拉电阻后流入地；各个第二二极管均被导通；各个高电平子系统的高电平子复位信号端的电压均等于电源端VCC的电压值减去所接第二二极管的前向导通压降；为保证可靠复位，各第二二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降约为0.3V,高电平子系统的高电平子复位信号端的电压依然为高电平，成功复位各个高电平子系统。