[发明专利]化学机械研磨的方法在审
| 申请号： | 201610996811.0 | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106625203A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 桂辉辉;周小红;李大鹏;周小云;万先进 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/3105;H01L21/321;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化学机械研磨的方法，包括提供待研磨晶圆，所述晶圆包括半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的层间介质层、形成在所述层间介质层内的凹槽、以及形成在所述层间介质层上及所述凹槽内的金属互连层；对所述金属互联层进行第一化学机械研磨，去除部分所述金属互联层；对所述金属互联层进行第二化学机械研磨，完全去除所述层间介质层上的所述金属互连层；对所述层间介质层进行第三化学机械研磨；所述第三化学机械研磨包括一冲洗步骤采用缓蚀剂对所述晶圆进行冲洗，防止在等待时间内暴露出的金属被氧化，从而降低了发生树突缺陷的风险，提高了半导体器件的性能；同时减少了晶圆在第三次化学机械研磨过程中的等待时间。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供待研磨晶圆，所述晶圆包括半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的层间介质层、形成在所述层间介质层内的凹槽、以及形成在所述层间介质层上及所述凹槽内的金属互连层；对所述金属互联层进行第一化学机械研磨，去除部分所述金属互联层；对所述金属互联层进行第二化学机械研磨，完全去除所述层间介质层上的所述金属互连层；对所述层间介质层进行第三化学机械研磨；所述第三化学机械研磨包括一冲洗步骤：采用缓蚀剂对所述晶圆进行冲洗。
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