[发明专利]一种高频晶界层陶瓷电容器介质有效

专利信息
申请号: 201610998061.0 申请日: 2016-11-14
公开(公告)号: CN106587996B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 黄新友;高春华;李军 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: C04B35/47 分类号: C04B35/47;C04B35/626;H01G4/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及无机非金属材料技术领域,特指一种高频晶界层陶瓷电容器介质。介质配方组成,按照重量百分比计算:(Sr0.96Ba0.04)TiO3 88‑96%,Co(Li1/4Nb3/4)O30.1‑3%,Dy2O3 0.1‑4%,SiO2 0.1‑2.0%,Al2O30.1‑2.5%,Co(Zr1/2Mg1/2)O30.03‑2.0%,ZnO‑Li2O‑Bi2O3玻璃粉(ZLB)0.1‑2.0%,CuO0.01‑2%。本介质的介电常数高,为50000以上;耐电压高,直流耐电压可达8kV/mm以上;介质损耗小,小于0.6%;色散频率(fm)高,色散频率(fm)高达2GHz以上;本介质的介电常数高,能实现陶瓷电容器的小型化和大容量,同样能降低成本。
搜索关键词: 一种 高频 晶界层 陶瓷 电容器 介质
【主权项】:
一种高频晶界层陶瓷电容器介质,其特征在于:介质配方组成,按照重量百分比计算:(Sr0.96Ba0.04)TiO3 88‑96%,Co(Li1/4Nb3/4)O30.1‑3%,Dy2O3 0.1‑4%,SiO2 0.1‑2.0%,Al2O30.1‑2.5%,Co(Zr1/2Mg1/2)O30.03‑2.0%,ZnO‑Li2O‑Bi2O3玻璃粉(ZLB)0.1‑2.0%,CuO0.01‑2%;其中(Sr0.96Ba0.04)TiO3、Co(Li1/4Nb3/4)O3、ZnO‑Li2O‑Bi2O3玻璃粉分别是采用常规的化学原料以固相法合成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏大学,未经江苏大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610998061.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top