[发明专利]一种纳米级硅藻壳颗粒单层阵列及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610998529.6 申请日: 2016-11-14
公开(公告)号: CN106564858B 公开(公告)日: 2018-10-02
发明(设计)人: 李风浪;李舒歆 申请(专利权)人: 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B82Y40/00
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 连平
地址: 523000 广东省东莞市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种纳米级硅藻壳颗粒单层大面积阵列及其制备方法,具体制备方法为:硅藻土通过聚焦高能密度脉冲激光束在氧气氛围中进行烧灼处理得到纳米级硅藻壳颗粒,然后将纳米级硅藻壳颗粒疏水整理后于空气‑水的表面形成密排的纳米级硅藻壳颗粒膜,用亲水改性的基片转移至自然固化的PDMS上,然后通过PDMS在正己烷中溶胀处理得到纳米级硅藻壳颗粒单层大面积阵列。本发明通过激光烧灼法对硅藻土实现快速高效的整理,使硅藻土的粒径规整,多孔结构纳米化多级化,再通过自组装和PDMS的易转移和溶胀特性,实现纳米级硅藻壳颗粒单层大面积阵列,具有高比表面积、高稳定性、高活性等优点,扩大了硅藻壳的应用领域。
搜索关键词: 一种 纳米 硅藻 颗粒 单层 大面积 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种纳米级硅藻壳颗粒单层阵列,其特征在于:所述纳米级硅藻壳颗粒单层阵列的原料为纳米级多孔硅藻颗粒,所述纳米级多孔硅藻颗粒通过聚焦高能密度脉冲激光束在氧气氛围中进行烧灼处理得到,所述纳米级硅藻壳颗粒单层阵列通过PDMS在正己烷中溶胀处理得到。
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