[发明专利]一种越橘脱毒繁育方法及其脱毒培养基

摘要

本发明提供了一种越橘的脱毒繁育方法，包括以下步骤：将越橘休眠枝条催芽，芽长至1～3cm时剪下灭菌处理；将所述灭菌后的芽切取茎尖0.3～0.8cm接种基础培养基上，在温度为25～28℃、光照强度为1800～2200Lx、光照时间为12～16h/d的条件下进行培养；待所述茎尖长到1.5～2.0cm时，在无菌环境下切取0.03～0.05cm的茎尖接种至脱毒培养基上，在温度为22～25℃的条件下进行暗培养5～9天，在温度23～26℃、光照强度1800～2200Lx、光照时间12～16h/d环境继续培养；将脱毒苗接种到培养基上快速增殖培养，待苗长至2.0～3.0cm之后再进行炼苗生根。

主权项

1.一种越橘的脱毒繁育方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将越橘休眠枝条催芽，芽长至1～3cm时剪下，进行灭菌处理；2)将所述步骤1)灭菌后的芽切取茎尖0.3～0.8cm接种到基础培养基上，在温度为25～28℃、光照强度为1800～2200Lx、光照时间为12～16h/d的条件下进行培养；所述基础培养基为仅含有0.8～1.2mg/L反式玉米素、18～23g/L蔗糖、5.0～6.0g/L琼脂的改良WPM培养基；所述基础培养基pH为5.2～5.8；所述改良的WPM培养基由以下含量的组分组成：400mg/L NH4NO3、202mg/L KNO3、198mg/L(NH4)2SO4、408mg/L KH2PO4、370mg/L MgSO4·7H2O，708mg/L Ca(NO3)2·4H2O、6.2mg/L H3BO3、22.3mg/L MnSO4·4H2O、8.6mg/L ZnSO4·7H2O、0.25mg/L Na2MoO4·2H2O、0.25mg/L CuSO4·5H2O、27.8mg/L FeSO4·7H2O、37.3mg/L Na2‑EDTA、100mg/L肌醇、1mg/L盐酸硫胺素、0.5mg/L烟酸、0.5mg/L盐酸吡哆醇和2mg/L甘氨酸；3)待所述步骤2)的茎尖长到1.5～2.0cm时，在无菌环境下切取0.03～0.05cm的茎尖接种至脱毒培养基上，在温度为22～25℃的条件下进行暗培养5～9天，再在温度为23～26℃、光照强度为1800～2200Lx、光照时间为12～16h/d的条件下进行培养，得到脱毒苗；所述脱毒培养基以水为溶剂，为仅含有0.1～1.0mg/L吲哚丁酸、0.1～0.5mg/L赤霉素、0.1～0.5mg/L 6‑苄氨基腺嘌呤、15～25g/L蔗糖和5～7g/L琼脂的改良WPM培养基，所述脱毒培养基pH为5.2～5.8；所述改良的WPM培养基由以下含量的组分组成：400mg/L NH4NO3、202mg/L KNO3、198mg/L(NH4)2SO4、408mg/L KH2PO4、370mg/L MgSO4·7H2O，708mg/L Ca(NO3)2·4H2O、6.2mg/L H3BO3、22.3mg/L MnSO4·4H2O、8.6mg/L ZnSO4·7H2O、0.25mg/L Na2MoO4·2H2O、0.25mg/L CuSO4·5H2O、27.8mg/L FeSO4·7H2O、37.3mg/L Na2‑EDTA、100mg/L肌醇、1mg/L盐酸硫胺素、0.5mg/L烟酸、0.5mg/L盐酸吡哆醇和2mg/L甘氨酸；4)待所述步骤3)得到的脱毒苗长至1.5～2.0cm，接种到快速增殖培养基上进行快速增殖培养；所述快速增殖培养基为仅含有0.5～1.0mg/L吲哚丁酸、0.1～0.3mg/L赤霉素和0.05～0.2mg/L 6‑苄氨基腺嘌呤的改良WPM培养基；所述改良WPM培养基pH为5.4～5.6；所述改良的WPM培养基由以下含量的组分组成：400mg/L NH4NO3、202mg/L KNO3、198mg/L(NH4)2SO4、408mg/L KH2PO4、370mg/L MgSO4·7H2O，708mg/L Ca(NO3)2·4H2O、6.2mg/L H3BO3、22.3mg/L MnSO4·4H2O、8.6mg/L ZnSO4·7H2O、0.25mg/L Na2MoO4·2H2O、0.25mg/L CuSO4·5H2O、27.8mg/L FeSO4·7H2O、37.3mg/L Na2‑EDTA、100mg/L肌醇、1mg/L盐酸硫胺素、0.5mg/L烟酸、0.5mg/L盐酸吡哆醇和2mg/L甘氨酸；5)将所述步骤4)得到的脱毒苗长至2.0～3.0cm进行生根炼苗。