[发明专利]一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法有效
| 申请号： | 201611000544.3 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108070835B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 曹逊;金平实;孙光耀;李荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法，所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成，所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为WxTiyV1‑x‑yO2，其中0＜x＜0.1，0＜y＜0.2，x：y=（0.1～0.5）：1。本发明制备的二氧化钒薄膜结晶质量高，完全无杂相，且具有较高的电阻温度系数。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化钒薄膜 高电阻温度系数 掺杂二氧化钒 低温沉积 薄膜层 电阻温度系数 三氧化二钒 磁控溅射 化学组成 籽晶层 衬底 制备 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜，其特征在于，所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成，所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为WxTiyV1‑x‑yO2，其中0＜x＜0.1， 0＜y＜0.2，x：y =（0.1～0.5）：1。
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