[发明专利]一种氢化铜薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201611000760.8 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108069393A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张辰;徐颖峰;魏晨阳;施剑林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B6/02 | 分类号： | C01B6/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种氢化铜薄膜及其制备方法，所述氢化铜薄膜为形成在衬底表面的由10～20nm的纳米晶连续堆积而成的氢化铜薄膜。本发明中所述氢化铜薄膜可在任意亲水衬底表面沉积，宏观表面均匀，完整无开裂，微观形貌由10～20 nm纳米晶连续堆积而成，在催化、储氢以及光学等领域有潜在应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氢化铜 薄膜 衬底表面 纳米晶 制备 堆积 宏观表面 微观形貌 沉积 储氢 亲水 催化 应用 | ||
【主权项】：
1.一种氢化铜薄膜，其特征在于，所述氢化铜薄膜为形成在衬底表面的由10～20nm的纳米晶连续堆积而成的氢化铜薄膜。
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