[发明专利]一种采用等离子体技术处理银纳米线并通过衬底转移制备有机光电子器件柔性电极的方法在审
申请号: | 201611001115.8 | 申请日: | 2016-11-15 |
公开(公告)号: | CN106299160A | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 段羽;李俊;陈平;韦梦竹;陶冶;赵毅 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人: | 刘世纯,王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 一种采用等离子体技术处理银纳米线并通过衬底转移制备OLED柔性电极的方法,属于有机光电子技术领域。首先配置银纳米线溶液,然后在硅片上旋涂银纳米线,得到银纳米线薄膜后,通过等离子体处理银纳米线薄膜,一方面除去了纳米线表面的PVP,一方面也改变了银纳米线的表面形貌;之后在硅片上旋涂光交联聚合物,使其完全覆盖银纳米线薄膜,用紫外灯照射后,使用手术刀将光交联聚合物与硅衬底分离,最终得到高电导率的银纳米线透明电极。本发明所述方法降低了银纳米线薄膜的表面粗糙度,提高了银纳米线薄膜表面的均匀性,所制备的OLED柔性电极在导电性上要优于传统的热处理方法得到的电极,而且更节省时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 等离子体 技术 处理 纳米 通过 衬底 转移 制备 有机 光电子 器件 柔性 电极 方法 | ||
【主权项】:
一种采用等离子体技术处理银纳米线并通过衬底转移制备有机光电子器件柔性电极的方法,其步骤如下:1)在清洁处理后的衬底上旋涂银纳米线溶液,得到银纳米线薄膜;2)使用等离子体处理在衬底上制备的银纳米线薄膜;3)在处理后的银纳米线薄膜上旋涂光交联聚合物;4)用紫外灯照射光交联聚合物,使其固化;5)将固化后的光交联聚合物从衬底上剥离下来,这样就最终得到了以光交联聚合物为衬底的银纳米线OLED柔性电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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