[发明专利]一种c‑Si/a‑Si/mc‑Si太阳电池结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种c‑Si/a‑Si/mc‑Si太阳电池结构及其制备方法，该结构包括N型单晶硅片，设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征a‑Si层，设在受光面本征a‑Si层上的掺杂P型mc‑Si层，设在背光面本征a‑Si层上的掺杂N型mc‑Si层，分别设在掺杂P型mc‑Si层和掺杂N型mc‑Si层上的ITO透明导电膜层及设在ITO透明导电膜层上的金属栅线电极。本发明的掺杂mc‑Si层由本征a‑Si层通过瞬间辐照退火形成。瞬间辐照退火技术把杂质掺杂和a‑Si晶化两个过程合并在10～20ms之间同时完成，不仅简化了制造步骤，还使此种结构电池适用于大规模生产。更重要的是，本发明使得本征a‑Si层和掺杂mc‑Si层并存，发挥本征a‑Si层钝化优势的同时，使用掺杂mc‑Si作为发射层和背场层材料，有效地减小复合、降低串联电阻，有利于提升电池性能。

主权项

一种c‑Si/a‑Si/mc‑Si太阳电池结构及其制备方法，其特征在于，该结构包括N型单晶硅片(11)，设在N型单晶硅片受光面的本征非晶硅层(12)和背光面的本征非晶硅层(13)，设在N型单晶硅片受光面本征非晶硅层上的掺杂P型多晶硅层(14)，设在N型单晶硅片背光面本征非晶硅层上的掺杂N型多晶硅层(15)，分别设在掺杂P型多晶硅层和掺杂N型多晶硅层上的ITO透明导电膜层(16)，设在ITO透明导电膜层上的金属栅线电极(17)。