[发明专利]采用高温-浸渍裂解工艺制备HfC-SiC改性C/C复合材料的方法有效
| 申请号： | 201611004314.4 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106747549B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李贺军;张豫丹;张雨雷;李克智;姚西媛 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/83 | 分类号： | C04B35/83;C04B35/84 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种采用高温‑浸渍裂解工艺制备HfC‑SiC改性C/C复合材料的方法，将碳毡清洗烘干，通过等温化学气相沉积制备出多孔低密度预制体；配制HfC前驱体和聚碳硅烷的混合溶液作为HfC‑SiC陶瓷相的前驱体，在110℃左右的环境中真空浸渍，将混合溶液浸渍到预制体内部，然后进行裂解，重复高温浸渍‑裂解过程直至材料致密，从而制备出HfC‑SiC改性C/C复合材料。有益效果：利用高浓度聚碳硅烷和HfC前驱体混合溶液粘度随温度的升高而降低的特点，在温度为90～110℃时，向多孔C/C预制体内浸渍高浓度的前驱体混合溶液，使得多孔C/C预制体被较快填满，且陶瓷在预制体内部分布均匀致密，最终密度达2.4～2.7g/cm |
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| 搜索关键词： | 采用 高温 浸渍 裂解 工艺 制备 hfc sic 改性 复合材料 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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