[发明专利]一种高介电性能晶界层陶瓷电容器介质

摘要

本发明涉及无机非金属材料技术领域，特指一种高介电性能晶界层陶瓷电容器介质。介质配方组成，按照重量百分比计算：Ba(Ti_0.9Sn_0.1)O₃88‑96％，Ba(Fe_1/2Nb_1/2)O₃0.1‑3％，Dy₂O₃0.1‑4％，SiO₂0.1‑2.0％,Al₂O₃0.1‑2.5％,MnNb₂O₆0.03‑4.0％，SiO₂‑Li₂O‑B₂O₃玻璃粉(SLB)0.1‑2.0％，CuO0.01‑3％。本介质的介电常数高，为100000以上；耐电压高，直流耐电压可达8kV/mm以上；介质损耗小，小于1％；本介质的介电常数高，能实现陶瓷电容器的小型化和大容量,同样能降低成本。

主权项

1.一种高介电性能晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于：介质配方组成，按照重量百分比计算：Ba(Ti_0.9Sn_0.1)O₃ 88‑96％，Ba(Fe_1/2Nb_1/2)O₃ 0.1‑3％，Dy₂O₃ 0.1‑4％，SiO₂ 0.1‑2.0％,Al₂O₃0.1‑2.5％,MnNb₂O₆0.03‑4.0％，SiO₂‑Li₂O‑B₂O₃玻璃粉(SLB)0.1‑2.0％，CuO0.01‑3％；其中Ba(Ti_0.9Sn_0.1)O₃、Ba(Fe_1/2Nb_1/2)O₃、SiO₂‑Li₂O‑B₂O₃玻璃粉(SLB)分别是采用常规的化学原料以固相法合成；所述高介电性能晶界层陶瓷电容器介质的制备工艺如下：首先采用常规的化学原料用固相法分别合成Ba(Ti_0.9Sn_0.1)O₃、Ba(Fe_1/2Nb_1/2)O₃、MnNb₂O₆、SiO₂‑Li₂O‑B₂O₃玻璃粉(SLB)，然后按上述配方配料，将配好的料用蒸馏水或去离子水采用行星球磨机球磨混合，料、球和水的质量比＝1:3:(0.6～1.0)，球磨4～8小时后，烘干得干粉料，在干粉料中加入占其重量8～10％的浓度为10wt％的聚乙烯醇溶液，进行造粒，混研后过40目筛，再在20～30Mpa压力下进行干压成生坯片，先在氮气中500℃以前排胶，然后在高于1000℃后以慢速升温，升温速率为30‑50℃/小时，然后于1270‑1290℃保温3‑5小时烧结，然后冷却到900‑950℃于空气中保温2‑3小时处理，最后随炉冷却，再在780～800℃下保温15分钟进行烧银，形成银电极，再焊引线，进行包封，即得高介电性能晶界层陶瓷电容器。