[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201611004830.7 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106920774B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 成田勝俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;邓玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法,其包括：在半导体晶片的表面上形成标记，标记的至少一部分布置在预定周边区域中，预定周边区域位于待形成半导体元件的相应的预定元件区域的周围；利用标记在预定元件区域内形成半导体元件；在形成半导体元件之后，形成跨越所述表面上的包括预定元件区域或预定周边区域的范围而延伸的膜从而用膜覆盖标记的至少一部分；以及在形成膜之后，沿着切割区域切断半导体晶片，切割区域位于预定周边区域的周围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，所述制造方法的特征在于包括：(a)在半导体晶片的表面上形成标记，所述标记包括与所述半导体晶片的材料不同的材料，所述标记的至少一部分布置在位于所述表面上的预定周边区域的范围内,所述预定周边区域位于待形成半导体元件的相应的预定元件区域的周围；(b)在步骤(a)之后，利用所述标记在所述预定元件区域内形成所述半导体元件；(c)在步骤(b)之后，形成跨越所述表面上的包括所述预定元件区域或所述预定周边区域的范围而延伸的膜从而用所述膜覆盖所述标记的至少一部分；以及(d)在步骤(c)之后，沿着切割区域切断所述半导体晶片，所述切割区域位于所述预定周边区域的周围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
