[发明专利]一种多芯片并联的半桥型IGBT模块有效
| 申请号： | 201611005234.0 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108074917B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 庄伟东;李宇柱 | 申请（专利权）人： | 南京银茂微电子制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/52;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司： | 32243 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄智明 |
| 地址： | 211200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，所述模块包括导热底板及陶瓷覆铜基板，陶瓷覆铜基板上设置芯片和用于连接的键合导线，芯片组成上桥臂和下桥臂，每个桥臂包含至少两颗IGBT芯片，每颗IGBT芯片附带续流二极管形成一个IGBT芯片单元，组成每个桥臂的IGBT芯片单元在陶瓷覆铜基板上纵向并列排列，每个桥臂的全部IGBT芯片的栅极指向相同方向，每个IGBT芯片的栅极都是通过独立的键合导线连接至覆铜基板上的栅极键合点上并最终通过覆铜或者键合导线连接到相应的上桥臂和下桥臂的栅极铜条上。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷覆铜基板 键合导线 桥臂 多芯片 上桥臂 下桥臂 并联 半桥 芯片 续流二极管 导热底板 覆铜基板 栅极键合 纵向并列 覆铜 铜条 附带 指向 | ||
【主权项】：
1.一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，其特征在于，所述模块自下而上包括导热底板及陶瓷覆铜基板，陶瓷覆铜基板上设置芯片和用于连接的键合导线以及模块的输出端和正负极，陶瓷覆铜基板上的芯片包括IGBT芯片和附带的续流二极管，每颗IGBT芯片连同附带的续流二极管形成一个IGBT芯片单元，至少两个IGBT芯片单元组成一个桥臂，每个所述半桥型IGBT模块包含两个桥臂，分别称为上桥臂和下桥臂，组成每个桥臂的IGBT芯片单元在陶瓷覆铜基板上沿纵向并列排列，每个桥臂的全部IGBT芯片的栅极与键合导线的键合点指向相同方向，下桥臂的IGBT芯片的发射极和续流二极管的阳极通过键合导线连接至覆铜基板上的下桥臂发射极铜条上并最终连接到模块的负极，上桥臂的IGBT芯片的发射极和续流二极管的阳极通过键合导线连接至覆铜基板上的上桥臂发射极铜条上并最终连接到下桥臂IGBT芯片的集电极以及模块的输出端，每个IGBT芯片的栅极通过键合导线连接到覆铜基板上的栅极铜条上并最终连接到模块的信号端子，其中每个IGBT芯片的栅极都是通过独立的键合导线连接至覆铜基板上的栅极键合点上并最终通过覆铜或者键合导线连接到相应的上桥臂和下桥臂的栅极铜条上，上下桥臂的发射极铜条的长度不超过每个桥臂的最外侧的IGBT芯片的外侧边缘位置，并且连接最外侧IGBT芯片的发射极和续流二极管的阳极与发射极铜条的键合导线中有至少50%是采用了叠层键合的设置。/n
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