[发明专利]柔性TFT基板及其制作方法有效
申请号: | 201611005581.3 | 申请日: | 2016-11-11 |
公开(公告)号: | CN106356380B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 邓金全 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;闻盼盼 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种柔性TFT基板及其制作方法。本发明的柔性TFT基板的制作方法,首先在刚性基板上依次形成柔性衬底与第一有机层,并且在所述第一有机层上设置数个凹槽,之后将TFT器件制作于所述数个凹槽中,然后在所述第一有机层上形成第二有机层,最后将所述柔性衬底从所述刚性基板上剥离,制得一柔性TFT基板,所述柔性TFT基板中,由于所述第一有机层上设有数个凹槽,从而在所述第一有机层上形成多个凹陷结构与多个凸起结构,使得所述第二有机层与所述第一有机层相互咬合,结合紧密,并且对夹设于二者之间的TFT器件形成保护,防止柔性TFT基板在弯曲过程中出现断线、TFT器件剥落及漏光等问题,提升柔性TFT基板的品质,延长柔性TFT基板的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 柔性 tft 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种柔性TFT基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供一刚性基板(10),在所述刚性基板(10)上涂布第一有机材料,形成一柔性衬底(11);步骤2、在所述柔性衬底(11)上涂布第二有机材料,形成第一有机层(20),采用半透膜光罩对所述第一有机层(20)进行图形化处理,在所述第一有机层(20)上形成数个第一凹槽(21)、数个第二凹槽(22)、数个第三凹槽(23)、及数个第四凹槽(24),其中,所述第一凹槽(21)与所述第二凹槽(22)相交叉,所述第三凹槽(23)分别连通至所述第一凹槽(21)与第二凹槽(22),所述第四凹槽(24)与所述第三凹槽(23)相连通;步骤3、在所述第一凹槽(21)中形成扫描线(31),同时在所述第三凹槽(23)中形成栅极(32),所述栅极(32)与所述扫描线(31)相连;在所述扫描线(31)与栅极(32)上形成栅极绝缘层(40);在所述栅极绝缘层(40)上对应于所述栅极(32)的上方形成有源层(41);在所述第二凹槽(22)中形成数据线(51),同时在所述第三凹槽(23)中形成源极(52)与漏极(53),所述源极(52)与所述数据线(51)相连,所述源极(52)与漏极(53)分别与所述有源层(41)的两侧相接触;在所述数据线(51)、源极(52)、漏极(53)、有源层(41)、及所述第四凹槽(24)的槽底上形成钝化层(60),所述钝化层(60)上设有对应于所述漏极(53)上方的第一通孔(61);在所述钝化层(60)上对应于所述第四凹槽(24)的槽底上方的区域形成像素电极(70),所述像素电极(70)经由所述第一通孔(61)与所述漏极(53)相接触;步骤4、在所述第一有机层(20)上涂布第三有机材料,形成第二有机层(80);步骤5、将所述柔性衬底(11)从所述刚性基板(10)上剥离,制得一柔性TFT基板(100);所述第一凹槽(21)、第二凹槽(22)、第三凹槽(23)及第四凹槽(24)的槽底位于所述第一有机层(20)中或者所述柔性衬底(11)与所述第一有机层(20)相交接的表面上,所述第一凹槽(21)、第二凹槽(22)、第三凹槽(23)及第四凹槽(24)的深度相同或不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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