[发明专利]化合物半导体衬底有效
| 申请号： | 201611005643.0 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107039516B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 宫原贤一;西浦隆幸;坪仓光隆;藤原新也 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/02;H01L21/335;H01L29/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及化合物半导体衬底。本发明的目的在于提供化合物半导体衬底及其表面处理方法，其中，即使在将处理过的衬底长时间储存之后，也不会出现电阻值异常。即使将所述化合物半导体衬底长时间储存且然后在其上形成外延膜，也不会出现电特性异常。根据本发明的半导体衬底为如下化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，所述镜面抛光的表面被含有氢(H)、碳(C)和氧(O)的有机物质覆盖；或者如下化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，其中，在550℃的生长温度下生长的外延膜与所述化合物半导体衬底之间的界面处的硅(Si)峰值浓度为2×10 |
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| 搜索关键词： | 化合物 半导体 衬底 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，所述镜面抛光的表面被含有氢(H)、碳(C)和氧(O)的有机物质覆盖，其中，在采用69Ga+作为一次离子的TOF‑SIMS分析中具有31的质量数的阳离子(CH3O+)的相对信号强度为2.4×10‑3以上。
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