[发明专利]一种低频负磁导率的超材料在审
| 申请号： | 201611005934.X | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN106450784A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘明海;荣灿灿;陈俊峰;王圣明;胡朝阳 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低频负磁导率的超材料，包括谐振线圈、介质基板和谐振电容，谐振线圈为平面方形螺旋状的金属线，谐振线圈与谐振电容相连，谐振线圈位于介质基板的一面，谐振电容位于介质基板的另一面。当电磁波入射到超材料上时，谐振线圈与谐振电容产生电磁响应，在工作频率附近超材料有等效的负磁导率特性，谐振线圈为平面方形螺旋形金属线，线圈圈数为2～6圈，金属线的间距为0.2mm～4.0mm，金属线的宽度为0.5mm～5.0mm，谐振电容的大小为10pF～100pF，使得超材料的工作频率为13.55MHz～14.47MHz。该超材料能提高能量传输距离和传输效率，且厚度薄和体积小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低频 磁导率 材料 | ||
【主权项】：
一种低频负磁导率的超材料，其特征在于，包括多个呈阵列式排列的超材料单元，所述超材料单元包括谐振线圈(1)、介质基板(2)和谐振电容(3)；所述谐振电容(3)与所述谐振线圈(1)连接，所述谐振线圈(1)固定在所述介质基板(2)的一面，所述谐振电容(3)固定在所述介质基板(2)的另一面；所述谐振线圈(1)为呈平面方形螺旋状的金属线，线圈圈数为2～6圈，金属线宽度为0.5mm～5.0mm，金属线间距为0.2mm～4.0mm；谐振电容(3)的大小为10pF～100pF。
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