[发明专利]单电感两级式的拓扑结构变换器及其控制方法有效
申请号: | 201611006232.3 | 申请日: | 2016-11-16 |
公开(公告)号: | CN106655835B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 董秀成;李浩然;阎铁生;陈庚;代莎 | 申请(专利权)人: | 西华大学 |
主分类号: | H02M7/219 | 分类号: | H02M7/219;H02M1/088;H02M1/42 |
代理公司: | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人: | 曹少华 |
地址: | 610039 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及功率因素校正器的拓扑变换及控制方法领域,具体为单电感两级式的拓扑结构变换器及其控制方法,为一种单电感两级式PFC变换器的拓扑结构,包括双峰值电流的控制方法。双峰值电流的控制方法是分别通过反馈两个电容上面的电压生成两个峰值,然后将两个峰值与实时的电流对比生成单电感两级式变换器BOOST状态及BUCK状态的占空比。双峰值电流控制方法仅需要一套控制电路,比起传统两级式PFC变换器的两套控制电路节约了成本。 | ||
搜索关键词: | 电感 两级 拓扑 结构 变换器 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.单电感两级式的拓扑结构变换器,其特征在于,包括由输入端的交流源AC、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4组成一个单相半波整流电路;还包括开关管T1、开关管T2、开关管T3、开关管T4与电感L组成的一个单电感的H桥结构,单电感的H桥结构使电感L上的电流iL从正方向或者负方向流通;所述的单电感的H桥结构包括四个外端口,四个外端口分别连接输入端、输出端、电容C1以及一个公共端口;二极管D5与输入端的单相半波整流电路串接,防止电路其他部分电流回流到输入端;电阻R与电容C2并联,电容C2与电阻R构成输出端,输出电压为Vout2;二极管D6与输出端串接,防止输出端电流流入电路其余部分;C1连接在单电感的H桥结构中开关管T3连接的端口与公共端口之间,储存纹波较大的能量,能量以电压Vout1的形式存储在电容C1中;信号s1、信号s2、信号s3、信号s4分别为开关管T1、开关管T2、开关管T3、开关管T4的控制信号。
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