[发明专利]一种建立钽电容的分数阶电路模型的方法

摘要

本发明公开了一种建立钽电容的分数阶电路模型的方法，包括步骤：1)将传统钽电容模型的主电容C认为具有分数阶特性，设其阻抗为其中α为电容的阶数，0﹤α﹤1；2)考虑电容C的分数阶特性，列写出电路模型的阻抗幅值和寄生电阻(ESR)的表达式；3)采用电容实测的阻抗幅值曲线，使用步骤2)得到的寄生电阻和阻抗表达式，利用最小二乘法进行拟合，确定表达式内各个参数，由于钽电容的分数阶电路模型中的所有参数已确定，故钽电容的分数阶模型已成功建立。本发明方法可以用于预测钽电容的ESR和阻抗幅值。

主权项

1.一种建立钽电容的分数阶电路模型的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将传统钽电容模型的主电容C认为具有分数阶特性，设其阻抗为式中α为电容的阶数，0﹤α﹤1；其中，传统钽电容模型由串联电感L、串联电阻R_s、电容C、介电吸收电容C_d、介电损耗电阻R_d组成，该串联电感L、串联电阻R_s、电容C依次串联在一起，该介电吸收电容C_d和介电损耗电阻R_d串联后并联在电容C上；2)考虑电容C的分数阶特性，列写出电路模型的阻抗幅值和寄生电阻ESR的表达式；寄生电阻ESR的表达式如下：阻抗虚部的表达式如下：阻抗幅值为：3)采用电容实测的阻抗幅值曲线，使用步骤2)得到的寄生电阻和阻抗表达式，利用最小二乘法进行拟合，确定表达式内各个参数，由于钽电容的分数阶电路模型中的所有参数已确定，故钽电容的分数阶模型已成功建立。