[发明专利]一种高活性位暴露的纳米二硫化钼加氢催化剂的制备方法

摘要

本发明公开了一种高活性位暴露的纳米二硫化钼(MoS2)加氢催化剂的制备方法。该发明包括以下步骤：将一定量的钼源和硫源溶于或分散于高粘度溶液中，加入还原剂得到溶液或悬浊液；调控钼源、硫源、溶剂和还原剂的种类；所配溶液或悬浊液置于密闭的不锈钢反应釜中，控制反应温度为120～240℃，反应时间为3～72小时；反应结束后冷却、抽滤、洗涤、干燥，得到高活性位暴露的纳米MoS2加氢催化剂。本发明的合成方法具有条件温和，操作简单，产率高等优点，所制备的层间距扩大的少层纳米MoS2催化剂具有高的加氢活性位暴露率。本发明方法合成高活性位暴露的纳米MoS2加氢催化剂用于油品催化加氢领域具有极高的催化加氢活性。

主权项

1.一种高活性位暴露的纳米MoS2加氢催化剂的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)配制溶液：将钼源、硫源和还原剂分散或溶于高粘度溶剂中形成溶液或悬浊液；2)晶化：将上述溶液或悬浊液密封，升温进行溶剂热反应；3)反应结束后分离固体产物，得到高活性位暴露的纳米MoS2加氢催化剂。