[发明专利]提高多孔硅径向物理微结构均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种提高多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法，该方法是在腐蚀槽外绕线圈，当线圈通交流电时，线圈内部（即腐蚀槽中）将产生变化的磁场，在变化的磁场周围存在感生电场，感生电场的方向与径向方向垂直而其大小与半径r成正比。一方面，由于在感生电场的作用下，离硅片腐蚀中心越远，感生电场越大，正负离子热运动越快，导致沿径向方向上随离硅片腐蚀中心越远而腐蚀越深，同时，提高氢氟酸溶液在径向方向浓度的一致性；另一方面，正常恒流腐蚀下，随离腐蚀中心越远，沿径向方向物理厚度缓慢变小，在一定条件下，二者达到动态平衡，从而增强了多孔硅薄膜内表面的径向物理微结构的均匀性，保证多孔硅薄膜径向物理微结构的均匀性。

主权项

1.一种提高多孔硅径向物理微结构均匀性的方法，其特征在于，在腐蚀槽外绕线圈，并给线圈通交流电；腐蚀槽放在线圈正中央，硅片的腐蚀中心在线圈内部中轴线上；当线圈通交流电时，线圈内部，即腐蚀槽中将产生变化的磁场，由于在变化的磁场周围存在涡旋的感生电场，感生电场是以线圈内部中轴线为圆心的一系列同心圆、且感生电场的方向与径向方向垂直而其大小与半径r成正比；腐蚀液中正负离子在感生电场的作用下，形成涡电流，使正负离子相向运动；且离中心轴向方向越远，正负离子相向热运动越快，腐蚀液温度沿径向方向逐渐增加，同时感生电场产生的涡电流促进腐蚀液与反应生成物之间的扩散与交换，提高氢氟酸溶液在径向方向浓度的一致性。