[发明专利]铜锢稼硒薄膜太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了铜锢稼硒薄膜太阳能电池的制备方法，属于薄膜太阳能电池领域。本发明解决现有三步真空共蒸法制备CIGS电池存在很难保证大面积条件下多种元素化学计量比的均匀一致性的缺点。方法一、在衬底温度为350℃条件下，在Se的气氛下先蒸发少量的Ga，随后共蒸In和Ga,得到(In,Ga)2Se3的预制层；二、衬底温度为530℃,共蒸Cu、Se直到薄膜呈富铜状态；三、在维持衬底温度的同时，共蒸In、Ga和Se，获得贫铜CIGS吸收层。本发明用于制备铜锢稼硒薄膜太阳能电池。

主权项

铜锢稼硒薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于铜锢稼硒薄膜太阳能电池的制备方法是按下述步骤进行的：第一步、在衬底温度为350℃条件下，在Se的气氛下先蒸发少量的Ga，随后共蒸In和Ga,得到(In,Ga)2Se3的预制层；第二步、衬底温度为530℃,共蒸Cu、Se直到薄膜呈富铜状态；第三步、在维持衬底温度的同时，共蒸In、 Ga和Se，获得贫铜CIGS吸收层。