[发明专利]硅晶圆的品质评价方法、硅晶圆的制造方法及硅晶圆有效
| 申请号： | 201611007661.2 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107039300B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 西村雅史;田中宏知 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/324;H01L21/306;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供可检出在硅晶圆的凹槽端面存在的微小加工损伤的硅晶圆的品质评价方法、硅晶圆的制造方法和硅晶圆。本发明涉及硅晶圆的品质评价方法，其是评价在硅晶圆的凹槽端面存在的加工损伤的硅晶圆的品质评价方法，其特征在于，在900℃以上且1150℃以下的第1温度下对评价目标的硅晶圆实施第1热处理，接着在1100℃以上且1200℃以下的第2温度下实施第2热处理后，实施蚀刻速率为1.3μm/分钟以下的选择蚀刻处理，接着检出在凹槽端面上显露的氧化诱生层错。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 品质 评价 方法 制造 | ||
【主权项】：
硅晶圆的品质评价方法，其是评价在硅晶圆的凹槽端面存在的加工损伤的硅晶圆的品质评价方法，其特征在于，在900℃以上且1150℃以下的第1温度下对评价对象的硅晶圆实施第1热处理，接着在1100℃以上且1200℃以下的第2温度下实施第2热处理后，实施蚀刻速率为1.3μm/分钟以下的选择蚀刻处理，接着检出在所述凹槽端面上显露的氧化诱生层错。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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