[发明专利]包括第一晶体管和第二晶体管的半导体器件

摘要

一种包括在具有第一主表面（110）的半导体衬底（100）中的第一晶体管（20）和第二晶体管（30）的晶体管器件（1）。该第一晶体管（20）包括电连接到第一漏极区（205）的第一漏极接触件，该第一漏极接触件包括第一漏极接触部分（206）和第二漏极接触部分（130a）。该第二漏极接触部分（130a）被设置在半导体衬底（100）的第二主表面（120）处。该第一漏极接触部分（206）包括与第一漏极区（205）直接接触的漏极导电材料（115），该第一漏极接触部分（206）还包括布置在漏极导电材料（115）和第二漏极接触部分（130a）之间的半导体衬底（100）的第一部分（112）。

主权项

一种包括在具有第一主表面（110）的半导体衬底（100）中的第一晶体管（20）和第二晶体管（30）的晶体管器件（1），该第一晶体管（20）包括：电连接到第一漏极区（205）的第一漏极接触件，该第一漏极接触件包括第一漏极接触部分（206）和第二漏极接触部分（130a）；在第一源极区（201）和第一漏极区（205）之间沿着平行于第一主表面的方向的第一本体区（220）和第一漂移区带（260）；在第一主表面中邻近第一本体区（220）的第一栅极沟槽（212）中的第一栅极电极（210），该第二漏极接触部分（130a）被设置在半导体衬底（100）的第二主表面（120）处，该第一漏极接触部分（206）包括与第一漏极区（205）直接接触的漏极导电材料（115），该第一漏极接触部分（206）还包括在漏极导电材料（115）和第二漏极接触部分（130a）之间的半导体衬底（100）的第一部分（112），该第二晶体管（30）包括：电连接到第二源极区（301）的第二源极接触件，该第二源极接触件包括第一源极接触部分（302）和第二源极接触部分（130b）；在第二源极区（301）和第二漏极区（305）之间沿着平行于第一主表面的方向的第二本体区（320）和第二漂移区带（360）；在第一主表面中邻近第二本体区（320）的第二栅极沟槽（312）中的第二栅极电极（310），该第二源极接触部分（130b）被设置在半导体衬底（100）的第二主表面（120）处，该第一源极接触部分（302）包括与第二源极区（301）直接接触的源极导电材料（116），该第一源极接触部分（302）还包括布置在源极导电材料（116）和第二源极接触部分（130b）之间的半导体衬底（100）的第二部分（113）。