[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201611007863.7 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107026117A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 田希文;卡罗斯·H·戴尔兹;李忠儒;眭晓林;包天一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 冯志云,王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体结构的形成方法，包括形成第一介电层于基板上，以及形成牺牲层于第一介电层上。此方法亦包括形成开口于牺牲层中，并经由开口蚀刻第一介电层，以形成通孔。此方法亦包括形成导电结构于通孔及开口中，以及移除牺牲层以露出导电结构的较上部分。此方法亦包括形成第二介电层围绕导电结构的较上部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，包括：形成一第一介电层于一基板上；形成一牺牲层于该第一介电层上；形成一开口于该牺牲层中；经由该开口蚀刻该第一介电层，以形成一通孔；形成一导电结构于该通孔及该开口中；移除该牺牲层以露出该导电结构的较上部分；以及形成一第二介电层围绕该导电结构的较上部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
