[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

摘要

本发明公开了一种阵列基板的制备方法，其中，用于制备形成有源层、源电极和漏电极的第二道光罩工序具体包括：依次沉积形成半导体薄膜层、N+掺杂薄膜层、金属薄膜层以及光刻胶层；应用灰色调光罩工艺对光刻胶层进行处理获得第一光刻胶掩膜版；依次应用第一湿刻工艺和第一干刻工艺，刻蚀所述金属薄膜层中、半导体薄膜层和N+掺杂薄膜层；对所述第一光刻胶掩膜版进行等离子体灰化处理，获得第二光刻胶掩膜版；应用第二湿刻工艺，刻蚀所述金属薄膜层；剥离去除所述第二光刻胶掩膜版，应用第二干刻工艺，刻蚀所述N+掺杂薄膜层。本发明还公开了按照如上方法制备得到的阵列基板以及包含该阵列基板的显示装置。

主权项

1.一种阵列基板的制备方法，应用四道光罩工序制备获得所述阵列基板中的薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，用于制备形成有源层、源电极和漏电极的第二道光罩工序具体包括：在栅极绝缘层上依次沉积形成半导体薄膜层、N+掺杂薄膜层、金属薄膜层以及光刻胶层；应用灰色调光罩工艺对所述光刻胶层进行曝光、显影，获得第一光刻胶掩膜版；在所述第一光刻胶掩膜版的保护下，应用第一湿刻工艺，刻蚀去除所述金属薄膜层中未被所述第一光刻胶掩膜版覆盖的部分；在所述第一光刻胶掩膜版的保护下，应用第一干刻工艺，刻蚀去除所述半导体薄膜层和所述N+掺杂薄膜层中未被所述第一光刻胶掩膜版覆盖的部分，获得所述有源层；对所述第一光刻胶掩膜版进行等离子体灰化处理，获得第二光刻胶掩膜版，所述第二光刻胶掩膜版的中间区域暴露出所述金属薄膜层；在所述第二光刻胶掩膜版的保护下，应用第二湿刻工艺，刻蚀去除所述金属薄膜层中未被所述第二光刻胶掩膜版覆盖的部分，获得所述源电极和漏电极；剥离去除所述第二光刻胶掩膜版，应用第二干刻工艺，刻蚀去除所述N+掺杂薄膜层中位于所述源电极和漏电极之间的部分，在所述源电极和所述所述有源层之间以及所述漏电极和所述有源层之间分别获得N+接触层。