[发明专利]一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201611009348.2 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106299050B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张勇辉;张紫辉;徐庶;耿翀;毕文刚;花中秋 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 胡安朋 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法，涉及半导体器件,该发光二极管有同侧倒装和垂直倒装两种结构，都是通过光刻和刻蚀技术在其外延片的p型空穴传导层的表面一侧形成倾斜侧壁的微纳结构阵列，在倾斜侧壁的微纳结构阵列的顶部制备有悬空导电层，在具有倾斜侧壁的微纳结构之间保持有空气，通过保持倾斜侧壁的微纳结构之间的空气，利用倾斜侧壁和空气界面的全反射以及菲涅耳散射对深紫外光进行散射，从而克服了现有技术存在的金属反射镜的金属对深紫外光的强烈吸收作用，倾斜侧壁结构的作用被严重影响的缺陷，从而最大化提高DUV LED的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 半导体 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外半导体发光二极管(以下简称DUV LED)，其特征在于：有以下两种倒装结构的DUV LED：第一种，同侧倒装结构的DUV LED，由从下至上依次为衬底、成核层、非掺杂氮化铝层、n型铝镓氮层、n型铝镓氮层部分上面的N型电极、有源层、电子阻挡层、p型空穴传导层、悬空导电层和P型电极构成；第二种，垂直倒装结构的DUV LED，由从下至上依次为N型电极、n型铝镓氮层、有源层、电子阻挡层、p型空穴传导层、悬空导电层和P型电极构成；上述两种倒装结构的DUV LED都在其外延片的p型空穴传导层的表面一侧形成倾斜侧壁的微纳结构阵列，在倾斜侧壁的微纳结构阵列的顶部制备有悬空导电层，在具有倾斜侧壁的微纳结构之间保持有空气，上述衬底为氮化铝衬底、氮化镓衬底、R‑面的氧化铝单晶衬底、A‑面的氧化铝单晶衬底、6H‑SiC衬底、4H‑SiC衬底或氧化镓衬底。
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