[发明专利]存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201611009427.3 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108074933B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 刘涛 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储器及其制作方法，包括在衬底上形成第一氧化层，在所述第一氧化层上形成第一多晶硅层，定义出存储区和逻辑区，刻蚀形成存储区的第一栅极结构，在所有结构的表面上形成ONO介质层，在所述ONO介质层上形成隔离多晶硅层，进行所述逻辑区的阱区光刻、离子注入，进行逻辑区的光刻、刻蚀，使逻辑区的衬底露出；生长出ONO介质层之后，在该ONO介质层上沉积隔离多晶硅层；可以有效的保护ONO介质层在存储器的制作过程中不受阱区光刻返工及GOX光刻返工的影响，使得ONO介质层的厚度稳定，进而了提高了存储器的性能稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一氧化层，在所述第一氧化层上形成第一多晶硅层，定义出存储区和逻辑区，刻蚀形成存储区的第一栅极结构；在所有结构的表面上形成ONO介质层；在所述ONO介质层上形成隔离多晶硅层；进行所述逻辑区的阱区光刻、离子注入；进行逻辑区的光刻、刻蚀，使逻辑区的衬底露出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
