[发明专利]具有细长自由层的磁结及其提供方法和包括其的磁存储器有效
申请号: | 201611010093.1 | 申请日: | 2016-11-16 |
公开(公告)号: | CN106876581B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 德米特罗·埃帕尔科夫;王淑霞;李将银 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供了具有细长自由层的磁结及其提供方法和包括其的磁存储器。描述了一种可用于磁性装置的磁结。所述磁结具有自由层、参考层以及在参考层与自由层之间的非磁性间隔层。当写入电流经过磁结时,自由层在稳定磁状态之间是可切换的。自由层具有在第一方向上的长度、在与第一方向垂直的第二方向上的宽度、交换刚度和与长度除以宽度相等的长宽比。长宽比大于1。交换刚度不小于2×10 |
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搜索关键词: | 具有 细长 自由 及其 提供 方法 包括 磁存储器 | ||
【主权项】:
一种磁结,所述磁结位于基底上并可用于磁性装置中,所述磁结包括:参考层;非磁性间隔层;以及自由层,所述非磁性间隔层位于参考层和自由层之间,自由层具有在第一方向上的长度、在第二方向上的宽度、长宽比和交换刚度,所述长宽比为长度除以宽度且大于1,所述交换刚度不小于2×10‑6erg/cm;其中,磁结被构造成使得当写入电流经过磁结时,自由层在多个稳定磁状态之间是可切换的。
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