[发明专利]电迁移测试结构有效
| 申请号： | 201611010913.7 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106449462B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 赵敏;陈雷刚;周柯 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 智云<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种电迁移测试结构，包括：金属测试线、金属通孔、测试结构金属引线、连接用金属垫、最上层金属连线以及测试金属垫；其中，金属测试线的两端分别通过一个金属通孔连接至一个测试结构金属引线，而且各个测试结构金属引线分别连接至一个连接用金属垫；每个连接用金属垫连接至一个测试金属垫的最上层金属；其中每个连接用金属垫包括经由通孔依次连接的多层金属层，而且每个测试金属垫包括经由通孔依次连接的多层金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 迁移 测试 结构 | ||
【主权项】：
1.一种电迁移测试结构，其特征在于包括：多根金属测试线、金属通孔、测试结构金属引线、连接用金属垫、最上层金属连线以及测试金属垫；其中，每根所述金属测试线的两端分别通过一个金属通孔连接至一个测试结构金属引线，而且各个测试结构金属引线分别连接至一个连接用金属垫；每个连接用金属垫连接至一个测试金属垫的最上层金属；每个连接用金属垫的最上层金属分别通过一个最上层金属连线连接至一个测试金属垫的最上层金属；/n其中每个连接用金属垫包括经由通孔依次连接的多层金属层，而且每个测试金属垫包括经由通孔依次连接的多层金属层，当产品的金属层发生问题时，扫描所述金属测试线，将扫描得到的所述金属测试线上所存在的问题与产品的金属层上的问题一致的那根作为最终金属测试线，其他金属测试线的最上层金属连线通过激光打断。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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