[发明专利]有机半导体组合物

摘要

本发明涉及有机共聚物和包含这些材料的有机半导体组合物，包括包含这样的有机半导体组合物的层和器件。本发明还涉及这样的有机半导体组合物和层的制备方法及其用途。本发明具有在印刷电子器件领域中的应用并且作为用于显示器用有机薄膜晶体管(OFET)背板、集成电路、有机发光二极管(OLED)、光电探测器、有机光伏(OPV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路的配制物的半导体材料是特别有用的。

主权项

1.多环芳族烃共聚物PAHC，其包含至少一种具有式(A)的多并苯单体单元和至少一种具有式(B)的单体单元：其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14各自可相同或不同，独立地代表氢；支化或未支化的、取代或未取代的C1‑C40烷基；支化或未支化的、取代或未取代的C2‑C40烯基；支化或未支化的、取代或未取代的C2‑C40炔基；任选地取代的C3‑C40环烷基；任选地取代的C6‑C40芳基；任选地取代的C1‑C40杂环基；任选地取代的C1‑C40烷氧基；任选地取代的C6‑C40芳氧基；任选地取代的C7‑C40烷基芳氧基；任选地取代的C2‑C40烷氧羰基；任选地取代的C7‑C40芳氧羰基；氰基(‑CN)；‑C(＝O)NR15R16；‑C(＝O)‑R17；‑CO2R18；氰酸酯基(‑OCN)；异氰基(‑NC)；异氰酸酯基(‑NCO)；硫氰酸酯基(‑SCN)或异硫氰酸酯基(‑NCS)；任选地取代的氨基；羟基；硝基；CF3基团；卤素基团Cl、Br、F、或I；‑SR19；‑SO3H；‑SO2R20；‑SF5；任选地取代的甲硅烷基；其中x＝1或2；y＝1或2；z＝0或1；且(x+y+z)＝3；其中R15、R16、R18、R19和R20各自独立地代表H或任选地取代的任选地包含一个或多个杂原子的C1‑C40碳基；其中R17代表卤素原子、H或任选地取代的任选地包含一个或多个杂原子的C1‑C40碳基；其中k和l独立地为1或2；其中R1、R2、R3、R4、R8、R9、R10和R11的至少两个为到另外的具有式(A)或(B)的单体单元的由——*代表的键，和其中Ar1、Ar2和Ar3可相同或不同，各自代表任选地取代的单环的或多环的C6‑40芳族基团，如果在不同的重复单元中，各自独立地代表任选地取代的单环的或多环的C6‑40芳族基团；和其中所述PAHC为无规共聚物。